P型衬底在集成电路制造中广泛使用，特别是在CMOS工艺中，原因主要包括：
制造工艺简化
P型衬底可以直接在其上创建N型MOSFET，无需额外工艺步骤。
成本
在工业生产中，P型衬底上制作N+扩散比N型衬底上制作P+扩散成本更低。
电气特性
P型衬底的本征噪声较低，有助于降低漏电流和本征噪声。
P型衬底提供了良好的衬底隔离，有效隔离不同器件之间的干扰。
热稳定性和可靠性
P型衬底在高温处理过程中表现出较好的稳定性，对复杂的CMOS工艺中的热处理步骤非常重要。
电路设计
P型衬底使得电路设计简单，通过将衬底接地可以实现PN结反偏，简化了电路设计。
兼容性和供应链
大多数CMOS制造工艺基于P型衬底发展，具有广泛的工艺基础和设备兼容性，制造成本相对较低，且供应链稳定。
保护作用
P型衬底可以起到保护作用，防止PN导通，有较大的内阻。
适应高速器件
由于电子迁移率大于空穴，n型MOSFET比p型MOSFET速度快，因此在需要高速器件的集成电路中更常用P型衬底作为衬底。
适应特定应用
在某些特定应用中，如SiC-IGBT，高质量低阻的P型衬底可以加速高性能器件的发展。
这些因素共同作用，使得P型衬底在集成电路制造中成为首选